Транзистор виготовляється шляхом виготовлення двох близько розташованих PN-переходів на напівпровідниковій підкладці. Ці два PN-переходу поділяють напівпровідник на три частини: середня частина є базовою областю, а дві зовнішні частини є емітерною та колекторною областями. Існує дві поширені конфігурації: PNP і NPN.
Електрони витягуються з цих трьох областей: бази (b), емітера (e) і колектора (c).
PN-перехід між емітерною та базовою областями називається емітерним переходом, а PN-перехід між колекторною та базовою областями називається колекторним переходом. Базова область дуже тонка, тоді як емітерна область товща і має більшу концентрацію домішок. У PNP-транзисторі емітерна область випромінює отвори, а напрямок їх руху збігається з напрямком струму, тому стрілка емітера вказує всередину. У NPN-транзисторі область емітера випромінює вільні електрони, а напрямок їх руху протилежний напрямку струму, тому стрілка емітера вказує назовні. Напрямок стрілки емітера також вказує напрямок провідності PN-переходу під прямим зміщенням. І кремнієві, і германієві транзистори бувають типів PNP і NPN.
Типи корпусів транзисторів та ідентифікація контактів
Корпуси звичайних транзисторів поділяються на дві основні категорії: металеві та пластикові. Розташування шпильок дотримується певних правил. На зображенні знизу три шпильки розташовані так, що вони утворюють вершини рівнобедреного трикутника, пронумерованого e, b і c зліва направо. Для пластикових транзисторів малої та середньої потужності розмістіть їх плоскою стороною до себе та трьома контактами вниз; потім контакти пронумеровані e, b і c зліва направо.
У Китаї існує багато типів транзисторів, розташування контактів яких різне. При використанні транзистора з невизначеним розташуванням контактів важливо провести вимірювання, щоб визначити правильне положення контактів, або ознайомитися з посібником користувача транзистора, щоб дізнатися про його характеристики, технічні параметри та відповідну інформацію.